近些年來(lái)腦疝的患兒發(fā)病率越來(lái)越高，很多孩子一出生便得知患有腦疝，這給無(wú)數(shù)個(gè)家庭帶來(lái)很沉重的打擊，不僅對(duì)孩子的健康帶來(lái)很大的危害，而且使孩子幼小的心靈受到嚴(yán)重的威脅，接下來(lái)小編就為大家講解一下腦疝的發(fā)病原因。

顱內(nèi)任何體積較大的占位病變引起顱腔內(nèi)壓力分布不均時(shí)都可引起腦疝。病變?cè)谀簧险咭�起小腦幕切跡疝，病變?cè)谀幌抡咭�起枕骨大孔疝。引起腦疝的常見病變有：

一：損傷引起的各種顱內(nèi)血腫

如急性硬腦膜外血腫、硬腦膜下血腫、腦內(nèi)血腫等;

二：各種顱內(nèi)腫瘤

各種顱內(nèi)腫瘤特別是位于一側(cè)大腦半球的腫瘤和顱后窩腫瘤;

三：顱內(nèi)膿腫

四：顱內(nèi)寄生蟲病及其他各種慢性肉芽腫。

在上述病變的基礎(chǔ)上如再附加一些人為的因素，例如作腰椎穿刺釋放過(guò)多的腦脊液，使顱腔與椎管之間、幕上分腔與幕下分腔之間的壓力差增大，可促使腦疝的形成。這種由于醫(yī)源性因素造成的腦疝，臨床醫(yī)師應(yīng)予避免。

誘發(fā)小兒腦癱的病因包括那幾方面的：

一、 1.遺傳因素：近年來(lái)的研究認(rèn)為，遺傳因素在小兒腦癱中影響越來(lái)越重要，如近親有癲癇、腦癱及智能低下中的2種因素者占腦癱的65%。還有就是染色體異常。

2.母體因素：母親智力低下是腦癱最主要的危險(xiǎn)因素，占腦癱的2.7‰。其次的危險(xiǎn)因素是母親分娩過(guò)程障礙。母親患癲癇、孕前患甲亢，或有兩次以上死胎者與腦癱明顯相關(guān)。

二、1.分娩因素 2.妊娠期因素

(1)母體遭受感染：母體在胚兒期遭受風(fēng)疹、巨細(xì)胞病毒、弓形體病、梅毒、單純皰疹病毒、EB病毒等感染通過(guò)胎盤侵及胎兒產(chǎn)生先天性感染與畸形。

(2)妊娠時(shí)的環(huán)境因素：胚胎在母體子宮內(nèi)發(fā)育時(shí)，極易受外界環(huán)境因素如物理、化學(xué)或生物因子的影響，尤其對(duì)8周以內(nèi)的胚胎更為敏感，引起胚胎的分化發(fā)育障礙，產(chǎn)生先天性畸形。

三.物理因素

最常見的物理性致畸因子有射線、機(jī)械因素、高溫、嚴(yán)寒、微波、缺氧等。

a.射線

X線和放射性同位素的α、β、γ射線對(duì)人胚神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用，當(dāng)小于3個(gè)月的胎兒受輻照的劑量超過(guò)25cGy時(shí)，可增加胎兒畸形或死亡的危險(xiǎn)。

b.高溫

高溫對(duì)早期胚胎神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。當(dāng)受精后20～28天期間，孕婦如發(fā)燒至39℃以上時(shí)，胎兒容易出現(xiàn)后頭部腦疝畸形，而在妊娠4～14周時(shí)孕婦接觸高溫后，胎兒出生后可出現(xiàn)精神呆滯，肌張力低下等中樞神經(jīng)系統(tǒng)損害。

2.化學(xué)因素

許多藥物和環(huán)境污染物對(duì)胎兒發(fā)育有致畸作用。這和藥物的性質(zhì)、毒性、劑量、給藥方式、作用時(shí)間等有關(guān)，也和胚胎月齡有關(guān)。致畸藥物的種類繁多，常見的有：抗腫瘤藥、抗凝血藥、有機(jī)汞、酒精等。

(3)母體患慢性疾�。喝焉锲诘牡脱跹�癥、營(yíng)養(yǎng)障礙，是直接或間接導(dǎo)致腦性癱瘓的原因。如妊娠高血壓綜合征、心力衰竭、大出血、休克、重度貧血、胎盤異常、糖尿病、肺結(jié)核、慢性肝炎、慢性腎炎等。

通過(guò)上述資料相信大家已經(jīng)了解了腦疝的病癥。在現(xiàn)實(shí)生活中，很多孩子患有哪些之后，無(wú)法像正常孩子那樣生活。更需要家人的呵護(hù)與關(guān)心家長(zhǎng)一定要耐心地給孩子指導(dǎo)鍛煉培養(yǎng)孩子的自信心。祝愿腦疝患兒早日康復(fù)。